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| 稿件标题： | 8~11GHz200WGaN内匹配功率管 |
| 稿件作者： | 韩青峰，唐世军，成爱强，王帅 |
| DOI： | 10.11809/bqzbgcxb2023.07.037 |
| 科学编辑： | 杨继森 博士（重庆理工大学教授） |
| 栏目名称： | 信息科学与控制工程 |
| 关键词： | 氮化镓高电子迁移率晶体管；内匹配；功率放大器；X波段；宽带 |
| 文章摘要： | 高输出功率氮化镓高电子迁移率晶体管（GaNHEMT）已广泛开发用于X波段雷达应用，为了应对雷达系统集成化与一体化发展对功率放大器宽频带、高功率工作能力的需求，基于南京电子器件研究所 0.5 μm GaN HEMT 工艺平台，研制了一款8.0~11.0 GHz宽带200 W内匹配功率管。该器件内部包含4只10.8 mmGaN HEMT管芯，通过LC网络降低管芯虚部阻抗，并使用多级微带阻抗变换器进行宽带阻抗变换和功率分配/合成，实现宽带50 Ω阻抗匹配。该器件在8.0~11.0 GHz频带内，于漏极电压40 V、脉冲宽度100 μs、占空比10%测试条件下，输出功率超过200 W，功率附加效率高于37.3%，功率增益大于8 dB，并在频带内获取了峰值输出功率263 W、最佳功率附加效率43.1%和最大功率增益9.2 dB，是X波段相关报道中，国内外首次实现在8.0~11.0 GHz频带范围内输出功率达到200 W以上。 |
| 引用本文格式： | 韩青峰，唐世军，成爱强，等.8~11 GHz 200 W GaN内匹配功率管［J］.兵器装备工程学报，2023，44(7)：275-280. HAN Qingfeng, TANG Shijun, CHENG Aiqiang, et al.811 GHz 200 W GaN internal matching power transistors［J］.Journal of Ordnance Equipment Engineering，2023，44(7)：275-280. |
| 刊期名称： | 2023年07期 |
| 出版时间： | 2023年7月 |
| 上线时间： | 2023年7月28日 |
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