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| 稿件标题： | 电磁脉冲作用下NMOS管的电磁敏感性研究 |
| 稿件作者： | 李万银，张晨阳，查继鹏，郑国庆，李吾阳，张祥金 |
| DOI： | 10.11809/bqzbgcxb2023.12.004 |
| 科学编辑： | 陈慧敏 博士（北京理工大学副教授） |
| 栏目名称： | 现代引信技术专栏 |
| 关键词： | 电磁脉冲；NMOS管；雪崩击穿；二次击穿；熔融烧毁 |
| 文章摘要： | 针对起爆控制电路中的NMOS管在战场强磁干扰环境下时常发生误触、击穿等现象，通过Silvaco TCAD建立了金属场效应(MOS)晶体管在强电磁脉冲作用下的二维电热模型,获得了处于工作区的NMOS管在栅极注入电磁脉冲时的瞬态响应，分析了注入不同幅值的脉冲电压晶体管内电场强度、电流密度与管内温度的变化规律。结果表明：NMOS管在漏极注入脉冲电压超过阈值时，主要发生的是PN结反偏造成的雪崩击穿，雪崩击穿产生大量热能集中在PN结曲面处，管内发生电场强度、电流密度异常增大，进而发生热二次击穿导致NMOS管内出现局部熔融，造成永久性失效。而在脉冲幅值不变的情况下，雪崩击穿电压随栅极电压的增大而增大。 |
| 引用本文格式： | 李万银，张晨阳，查继鹏，等.电磁脉冲作用下NMOS管的电磁敏感性研究［J］.兵器装备工程学报，2023，44(12)：25-31. LI Wanyin, ZHANG Chenyang, ZHA Jipeng, et al.Electromagnetic sensitivity study of NMOS tube under the action of electromagnetic pulse［J］.Journal of Ordnance Equipment Engineering，2023，44(12)：25-31. |
| 刊期名称： | 2023年12期 |
| 出版时间： | 2023年12月 |
| 上线时间： | 2023年12月28日 |
| 浏览次数： | 1464 |
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