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| 稿件标题： | ＡｌＧａＮ深紫外光电探测器响应时间分析 |
| 稿件作者： | 王连家 |
| 栏目名称： | 其他研究 |
| 关键词： | ＡｌＧａＮ；ｐｎ；光电探测器；响应时间 |
| 文章摘要： | 利用ＭＯＣＶＤ方法在蓝宝石衬底上制备了高质量的ＡｌＧａＮ薄膜材料，并用传统的紫外光刻技术和湿度刻蚀方法将生长出来的材料制备成深紫外光电探测器件；利用ＫｒＦ激光器的２４８ｎｍ波长的光作为激发光源，测试了器件在３Ｖ偏压下的响应时间，最小达到了０３２ｍｓ，分析比较了正入射和背入射２种结构的响应时间。 |
| 刊期名称： | 2010年11期 |
| 出版时间： | 2010年11月 |
| 上线时间： | 2010年11月28日 |
| 浏览次数： | 3448 |
| 下载次数： | 1772 |
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