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| 稿件标题： | 强磁场对 Ｓ ｎ ３ Ａ ｇ ０ ． ５ Ｃ ｕ ／ Ｃ ｕ扩散偶界面金属间化合物生长的影响 |
| 稿件作者： | 朱凤，王来国，吴根华 |
| 栏目名称： | 其他研究 |
| 关键词： | 强磁场； 金属间化合物； 扩散偶； 生长速率 |
| 文章摘要： | 研究了强磁场对 Ｓ ｎ ３ Ａ ｇ ０ ． ５ Ｃ ｕ ／ Ｃ ｕ扩散偶界面金属间化合物生长的影响。结果表明： 在强磁场作用下， Ｓ ｎ ３ Ａ ｇ ０ ． ５ Ｃ ｕ ／ Ｃ ｕ扩散偶在１ ７ ０℃时效过程中其界面金属间化合物的生长规律与无磁场作用时相同。但强磁场作用下界面金属间化合物的生长速率较无磁场作用时有所增加。通过比较正反向强磁场对界面金属间化合物生长的影响发现： 正向强磁场作用下界面金属间化合物的生长速率大于反向强磁场作用下界面化合物的生长速率。 |
| 稿件基金： | ２ ０ ０ ７年度教育厅自然科学研究项目（ Ｋ Ｊ ２ ０ ０ ７ Ｂ ２ ７ ０ ） |
| 刊期名称： | 2011年02期 |
| 出版时间： | 2011年2月 |
| 上线时间： | 2011年2月28日 |
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