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| 稿件标题： | 平板铁磁材料磁记忆检测特征分析 |
| 稿件作者： | 鞠伟ａ，罗龙清ａ，于润桥ａ，胡博ａ，孟永乐ｂ |
| 栏目名称： | 制造技术 |
| 关键词： | 金属磁记忆检测；Ｔ Ｓ Ｃ １ Ｍ ４ ； 重磁转换 |
| 文章摘要： | 针对平板铁磁材料磁记忆检测问题， 阐述了该技术对于直立圆柱体和水平圆柱体 ２种缺陷类型与磁场强度的对应关系， 归纳了磁记忆检测的基本特征。使用俄罗斯 Ｔ Ｓ Ｃ １ Ｍ ４型磁记忆检测仪， 对含有水平圆柱体和直立圆柱体２种缺陷的平板铁磁材料进行了实验验证。结果表明， 从重磁转化角度得出的磁场特征理论曲线能够正确反应出缺陷处磁场分布， 与检测仪器测得结果也是吻合的。 |
| 稿件基金： | 南昌航空大学人才启动基金资助项目 |
| 刊期名称： | 2011年04期 |
| 出版时间： | 2011年4月 |
| 上线时间： | 2011年4月28日 |
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