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| 稿件标题： | 基于理想因子退化的双极晶体管贮存寿命评估 |
| 稿件作者： | 齐浩淳1,2 ，张小玲1，谢雪松1，吕长志1，陈成菊1，赵利1 |
| 栏目名称： | 基础理论与应用研究 |
| 关键词： | 双极晶体管；理想因子；加速试验；贮存寿命 |
| 文章摘要： | 提出了用理想因子n作为表征，对双极晶体管的贮存寿命进行评估的新方法。以某型双极晶体管为研究对象，进行了3组不同温、湿度恒定应力的加速退化试验，分析了随试验时间的增加双极晶体管样品的性能参数退化的原因。通过设定失效判据，利用晶体管样品在小电流情况下PN结的理想因子的退化趋势外推出双极晶体管的贮存寿命，并与通过反向漏电流的退化趋势预测得到的贮存寿命结果进行了对比。结果证明，晶体管PN结的理想因子退化也可以作为晶体管贮存寿命的一种表征，从而对晶体管的贮存可靠性进行评估。 |
| 引用本文格式： | 齐浩淳，张小玲，谢雪松，等.基于理想因子退化的双极晶体管贮存寿命评估 ［J］.四川兵工学报，2014(8):141-145. QI Hao chun，ZHANG Xiao ling，XIE Xue song，et al.Bipolar transistor Storage Lifetime Assessment Based on Ideality Factor Degradation ［J］.Journal of Sichuan Ordnance,2014(8):141-145. |
| 刊期名称： | 2014年08期 |
| 出版时间： | 2014年8月 |
| 上线时间： | 2014年8月28日 |
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