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| 稿件标题： | 硅雪崩光电探测器工作寿命试验及失效分析研究 |
| 稿件作者： | 邓敏 1，孙莉 1，周小燕 2，何伟 2，梁晨宇 2，李龙2 |
| 栏目名称： | 光学工程与电子技术 |
| 关键词： | 硅雪崩光电探测器； FMEA；加速寿命试验；失效分析 |
| 文章摘要： | 通过FMEA分析和加速寿命试验，确定了硅雪崩光电探测器的主要失效模式有两种，一种是暗电流超标，另一种是前放输出电压不合格；对这两种失效模式进行了失效分析，认为是高温应力引起器件内部气氛的变化，主要是氢气含量变大引起器件暗电流不合格；大电流引起前置放大电路上晶体管损伤是前放输出电压不合格的原因。 |
| 引用本文格式： | 邓敏，孙莉，周小燕，等. 硅雪崩光电探测器工作寿命试验及失效分析研究［J］.兵器装备工程学报，2016(8):160-163. DENG Min，SUN Li，ZHOU Xiaoyan,et al. Research on Lifetime Testing and Failure Analysis of Silicon Avalanche Photoelectric Detectors［J］.Journal of Ordnance Equipment Engineering,2016(8):160-163. |
| 刊期名称： | 2016年08期 |
| 出版时间： | 2016年8月 |
| 上线时间： | 2016年8月28日 |
| 浏览次数： | 3000 |
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