文章详情
| 稿件标题： | 单晶硅晶片化学机械抛光基本特性研究 |
| 稿件作者： | 侯保江1,安亚青2,水涌涛1,孙向春1 |
| 栏目名称： | 机械制造与检测技术 |
| 关键词： | 砷化镓；化学机械抛光；抛光特性；表面粗糙度 |
| 文章摘要： | 实验中利用商业抛光机对单晶硅晶片进行化学机械抛光；实验结果显示：表面粗糙度随着抛光垫和抛光头的转速以及抛光载荷的增加而减小；抛光载荷是影响总厚度变化的主要因素，晶片的总厚度变化会随着抛光载荷的增加而相应地减少；材料去除率随着抛光垫转速，抛光头转速，以及抛光载荷的增加而增加，抛光载荷的变化对材料去除率的影响最明显。 |
| 引用本文格式： | 侯保江,安亚青,水涌涛，等.单晶硅晶片化学机械抛光基本特性研究［J］.兵器装备工程学报，2019,40(6):163-166,205. HOU Baojiang，AN Yaqing，SHUI Yongtao, et al.Observation of Surface Integrity in Ultrasonic Assisted Internal Grinding of SiC Ceramics［J］.Journal of Ordnance Equipment Engineering,2019,40(6):163-166,205. |
| 刊期名称： | 2019年06期 |
| 出版时间： | 2019年6月 |
| 上线时间： | 2019年6月28日 |
| 浏览次数： | 2765 |
| 下载次数： | 675 |
| 免费阅读PDF 下载本期目录 下载本期封面 | |